- 电阻范围为1mΩ至111MΩ
- 提供双功率版本：HARS-X2
- 广泛的选择：单一至十年十二个单位
- 高精度 - 0.01％（100 ppm）
- HARS-X：±（0.01％+2mΩ）
- HARS-B：±（0.1％+4mΩ）
- 极低的零电阻：HARS-X每十年<1mΩ
- 高性能固体银合金触点
- 低温度系数：5 ppm /°C
- 无感或低电感电阻
- 机架安装可用
Prices range from US$695.00 至 US$8,004.00
当您需要实验室级，严格公差，高性能电阻十年且同时具有成本效益时，HARS系列是最佳选择。
高精度电阻替代品（HARS）电阻十年是一系列仪器，提供非常广泛的高性能电阻源选择。 HARS系列电阻十年可用于精确测量应用，要求高精度至0.01％，良好稳定性通常低于20 ppm /年，出色的AC频率响应和低零电阻。
可提供从1到11的任意数十年，分辨率低至1mΩ，最大可用电阻超过111MΩ。
HARS系列采用极低电阻开关<1mΩ，带镀银触点。特殊设计使HARS-X的零电阻保持在每十年不到1mΩ。自清洁可防止银触点在未使用时或仅在低电流通过时失去光泽。当数字万用表或其他测试仪器仅绘制微小的测试电流时，通常会出现这种情况。接触电阻稳定，保持低电平且可重复。
几十年来，HARS电阻采用高品质镀金碲 - 铜接线柱，可最大限度地降低热电动势效应，从而人为地反映直流电阻测量值的变化。电阻十年内的所有其他导体以及所使用的焊料都不包含可能导致热电动势问题的金属或结。
HARS-X2是HARS-X精密电阻十年的更高功率版本，具有出色的稳定性，温度系数，功率系数和额定功率高达1.2瓦的特性。
HARS电阻十年应用
- 可用作直流和交流电桥的组件
- 作为电阻校准或传输标准的最佳选择
- 作为精密RTD模拟器。
- HARS系列十年可以安装在机架上，作为测量和控制系统的组件
HARS-X系列电阻十年基本规格
（完整规格可在数据表上找到） 精度 ：≤1MΩ步长：±（0.01％+2mΩ）10MΩ步长：减去零电阻后的±0.03％，温度为23°C;可追溯到SI零电阻 ：直流时每十亿<1mΩ，≤1MΩ十年：10MΩ十进制：直流时≈3mΩ
最大电压： 2000 V峰值开关：
连续旋转11个位置标记为“0” - “10”多个固体银合金触点
HARS-B系列电阻十年基本规格
精度 ：（0.1％+4mΩ）
零电阻 ：直流时每十年<5mΩ
最大电压： 1000 V峰值开关：
连续旋转10个位置标记为“0” - “9”多个固体银合金触点
电阻器：线绕，金属膜和电阻线的组合。
每步阻力 | 总十年阻力 | 稳定性（±ppm /年） | 长期稳定性（±ppm / 3年） | 温度系数（±ppm /°C） | 电阻器类型 | 哈斯-X | 哈斯-X2 | ||||
最大电流 | 最大电压（每步） | 最大功率（每步） | 最大电流 | 最大电压（每步） | 最大功率（每步） | ||||||
1mΩ | 10mΩ | 50 | 75 | 50 | 电阻丝 | 8 A. | 5 mV | 0.04瓦 | 9：甲 | 9毫伏 | 0.08瓦 |
10mΩ | 100mΩ | 50 | 75 | 20 | 4 A. | 40 mV | 0.16瓦 | 6.3 A | 63 mV | 0.4瓦 | |
100mΩ | 1Ω | 50 | 75 | 20 | 1.6 A. | 0.16 V | 0.25 W | 2.2 A. | 0.3 V | 0.5瓦 | |
1Ω | 10Ω | 20 | 25 | 20 | 线绕，无感 | 0.8 A | 0.8 V | 0.6 W | 1.1 A. | 1.1 V | 1.2 W |
10Ω | 100Ω | 20 | 25 | 15 | 0.25 A | 2.5 V | 0.6 W | 0.35 A. | 3.5 V | 1.2 W | |
100Ω | 1kΩ | 20 | 25 | 五 | 80毫安 | 8 V | 0.6 W | 110毫安 | 11 V | 1.2 W | |
1kΩ | 10kΩ | 20 | 25 | 五 | 23毫安 | 23 V | 0.5瓦 | 35毫安 | 35 V | 1.2 W | |
10kΩ | 100kΩ | 20 | 25 | 五 | 7毫安 | 70 V | 0.5瓦 | 11毫安 | 110伏 | 1.2 W | |
100kΩ | 1MΩ | 20 | 25 | 五 | 2.3毫安* | 230 V * | 0.5 W * | 3毫安* | 500 V * | 1 W * | |
1MΩ | 10MΩ | 20 | 25 | 五 | 0.7毫安* | 700 V * | 0.5 W * | 1毫安* | 1000 V * | 1 W * | |
10MΩ | 100MΩ | 50 | 100 | 10 | 金属氧化膜 | 0.1 mA * | 1000 V * | 0.1 W * | 0.1 mA * | 1000 V * | 0.1 W * |
| *最大2000 V以下。 | |||||||||||
